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Liang-Wei Ouyang, Jill C. Mayeda, Clint Sweeney, Donald Y. C. Lie and Jerry Lopez    
This paper presents a broadband millimeter-wave (mm-Wave) low noise amplifier (LNA) designed in a 22 nm fully depleted silicon-on-insulator (FD-SOI) CMOS technology. Electromagnetic (EM) simulations suggest that the LNA has a 3-dB bandwidth (BW) from 17.... ver más
Revista: Applied Sciences    Formato: Electrónico

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