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IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

ISSN: 0885-8993    Frecuencia: 4   Formato: Impresa

Tablas de contenido  

56 artículos asociados

Volumen 23 Número 2 Parte 0 Año 2008

Iqbal, S.; Singh, G. K.; Besar, R.
Pág. 1003 - 1008  

Abu Qahouq, J. A.; Huang, L.; Huard, D.
Pág. 1009 - 1013  

Zhu, M.; Luo, F. L.; He, Y.
Pág. 1014 - 1019  

Chiu, H.-J.; Wang, T.-H.; Lin, L.-W.; Lo, Y.-K.
Pág. 1020 - 1022  

Zarebski, J.; Gorecki, K.
Pág. 1023 - 1026  

Jiayi, X.; Yanling, S.; Zheng, R.; Shaojian, H.; Shoumian, C.; Yuhang, Z.; Yanfang, D.; Zongsheng, L.
Pág. 1027 - 1030  

Shukla, A.; Ghosh, A.; Joshi, A.
Pág. 518 - 529  

Dalessandro, L.; Round, S. D.; Drofenik, U.; Kolar, J. W.
Pág. 530 - 542  

McGrath, B. P.; Holmes, D. G.
Pág. 543 - 550  

Song, T.-T.; Chung, H. S. H.
Pág. 551 - 563  

Zhao, Z.; Prodic, A.
Pág. 564 - 573  

Chen, L.; Peng, F. Z.
Pág. 574 - 580  

Busada, C. A.; Chiacchiarini, H. G.; Balda, J. C.
Pág. 581 - 590  

McNeill, N.; Gupta, N. K.; Burrow, S. G.; Holliday, D.; Mellor, P. H.
Pág. 591 - 599  

Tan, S.-C.; Lai, Y. M.; Tse, C. K.
Pág. 600 - 611  

Cortes, P.; Rodriguez, J.; Quevedo, D. E.; Silva, C.
Pág. 612 - 618  

Yan, W.; Hu, J.; Utkin, V.; Xu, L.
Pág. 619 - 626  

Chae, S.; Hyun, B.; Agarwal, P.; Kim, W.; Cho, B.
Pág. 627 - 634  

Lamar, D. G.; Fernandez, A.; Arias, M.; Rodriguez, M.; Sebastian, J.; Hernando, M. M.
Pág. 635 - 642  

Grbovic, P. J.
Pág. 643 - 652  

Zhang, Z.; Eberle, W.; Yang, Z.; Liu, Y.-F.; Sen, P. C.
Pág. 653 - 666  

Liou, W.-R.; Yeh, M.-L.; Kuo, Y. L.
Pág. 667 - 677  

Eberle, W.; Zhang, Z.; Liu, Y.-F.; Sen, P. C.
Pág. 678 - 691  

Nomura, T.; Masuda, M.; Ikeda, N.; Yoshida, S.
Pág. 692 - 697  

Hagiwara, M.; Pham, P. V.; Akagi, H.
Pág. 698 - 706  

Yang, L.-S.; Liang, T.-J.; Chen, J.-F.
Pág. 707 - 714  

Itoh, J.-I.; Ashida, I.
Pág. 715 - 722  

Bina, M. T.; Bhat, A. K. S.
Pág. 723 - 734  

Bongiorno, M.; Svensson, J.; Angquist, L.
Pág. 735 - 743  

De Paula, H.; Andrade, D. A.; Chaves, M. L. R.; Domingos, J. L.; de Freitas, M. A. A.
Pág. 744 - 752  

Amarir, S.; Al-Haddad, K.
Pág. 753 - 762  

Akagi, H.; Oe, T.
Pág. 763 - 770  

Tao, H.; Kotsopoulos, A.; Duarte, J. L.; Hendrix, M. A. M.
Pág. 771 - 781  

Tao, H.; Duarte, J. L.; Hendrix, M. A. M.
Pág. 782 - 792  

Chen, W.; Ruan, X.; Zhang, R.
Pág. 793 - 801  

Richardeau, F.; Roux, N.; Foch, H.; Laur, J.-P.; Breil-Dupuy, M.; Sanchez, J.-L.; Capy, F.
Pág. 802 - 812  

Xiao, H.; Xie, S.
Pág. 813 - 823  

Fujita, H.; Yamashita, N.
Pág. 824 - 831  

Zhang, F.; Du, L.; Peng, F. Z.; Qian, Z.
Pág. 832 - 840  

Seeman, M. D.; Sanders, S. R.
Pág. 841 - 851  

Wang, X.; Tian, F.; Batarseh, I.
Pág. 852 - 858  

El Aroudi, A.; Robert, B. G. M.; Cid-Pastor, A.; Martinez-Salamero, L.
Pág. 859 - 870  

Prudente, M.; Pfitscher, L. L.; Emmendoerfer, G.; Romaneli, E. F.; Gules, R.
Pág. 871 - 887  

Jin, T.; Zhang, K.; Smedley, K.
Pág. 888 - 895  

Abdel-Rahman, O.; Abu-Qahouq, J. A.; Huang, L.; Batarseh, I.
Pág. 896 - 906  

Eirea, G.; Sanders, S. R.
Pág. 907 - 914  

Singh, R. P.; Khambadkone, A. M.
Pág. 915 - 925  

Uddin, M. N.; Nam, S. W.
Pág. 926 - 933  

Lai, Y.-S.; Lin, Y.-K.
Pág. 934 - 940  

Mengoni, M.; Zarri, L.; Tani, A.; Serra, G.; Casadei, D.
Pág. 941 - 949  

Lu, H.; Zhang, L.; Qu, W.
Pág. 950 - 958  

Lee, D.-H.; Ahn, J.-W.
Pág. 959 - 965  

Jacobina, C. B.; dos Santos, Jr., E. C.; da Silva, E. R. C.; Correa, M. B. d. R.; Lima, A. M. N.; Oliveira, T. M.
Pág. 966 - 976  

Tang, L.; Su, G.-J.; Huang, X.
Pág. 977 - 984  

Park, J.-D.; Kalev, C.; Hofmann, H. F.
Pág. 985 - 992  

Burany, N.; Huber, L.; Pejovi¿, P.
Pág. 993 - 1002